今日新闻热点大事件 內存堆叠高度受限，三星16层及以上HBM需经受搀杂时刻
发布日期：2024-06-14 06:44 点击次数：171
5月25日今日新闻热点大事件，2024中国·三门峡横渡母亲河活动在河南三门峡举行，吸引了来自21个省(自治区、直辖市)165支代表队5000余名“泳士”齐聚三门峡，畅游母亲河。
6月11日音讯，据韩国媒体Thelec报说念，三星上个月在2024年IEEE上发表的一篇题为《用于HBM堆叠的D2W（芯粒到芯片）铜键合时刻规划》的论文，提到16层及以上的高带宽內存（HBM）必须经受搀杂键合时刻（Hybrid bonding）。
据了解，搀杂键合是下一代封装时刻，宗旨是芯片透过硅穿孔（TSV）或小型铜线进行垂直堆叠时，中间莫得凸点。韩媒The Elec指出，由于是平直堆叠，是以搀杂键合也称为“平直键合”。
与当今三星所使用的热压焊合（TC）比较，Hybrid bonding可焊合更多芯片堆叠，保管更低的堆叠高度并提升热排放后果。三星指出，镌汰高度是经受搀杂键合的主因，內存高度狂放在775微米内，在这高度中须封装17个芯片（即一个基底芯片和16个中枢芯片），因此放松芯片间的漏洞，是內存大厂必须克服的问题。
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最驱动DRAM大厂决策尽可能减少中枢芯片的厚度，大略减少凸点间距，但除搀杂键合外，这两种过错齐已达极限。知情东说念主士显露，很难将中枢芯片作念得比30微米更薄。由于凸点具有体积，通过凸块联络芯片会有一定局限性。
三星4月使用子公司Semes的搀杂键合缔造制作了16层的HBM样品，并暗示芯片运作普通。当今贝想半导体（BESI）和韩华精密机械（Hanwha Precision Machinery）也在拓荒搀杂键合缔造。外传三星决策在2025年制造出16层堆叠的HBM4样品，并于2026年量产。
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